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结果: 找到相关主题 5856 个

  • 反激式、正激式开关电源区别分析-KIA MOS管

    正激反激主要区别在高频变压器的工作方式不同但它们在同一象限上。正激是当变压器原边开关管导通时同时能量被传递到负载上,当开关管截止是变压器的能量要通过磁复位电路去磁。

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    www.kiaic.com/article/detail/3965.html         2022-12-12

  • 反激式拓扑电源原理、应用图文详解-KIA MOS管

    反激式电源能量传输和释放不是一个同步过程,必须是在开关管(比如MOSFET)开通时先存储能量到电感(习惯叫做“变压器”),然后在开关管关断后再释放能量到负载。

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    www.kiaic.com/article/detail/3964.html         2022-12-12

  • 反激式转换器工作原理、拓扑结构-KIA MOS管

    反激式转换器也称之为电源转换器,它将交流电转换为直流电,并在输入和输出之间进行电流隔离。它在电流流过电路时储存能量,并在断电时释放能量。它使用了一个相互耦合的电感器,并用作降压或升压变压器的隔离开关转换器。

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    www.kiaic.com/article/detail/3963.html         2022-12-12

  • 正激式转换器电路图详细分析-KIA MOS管

    正激转换器基本上是一个集成了变压器的DC-DC降压转换器。如果变压器有多个输出绕组,甚至可以增加或减少输出电压。它还为负载提供电气隔离。

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    www.kiaic.com/article/detail/3962.html         2022-12-09

  • 图文分享反激式转换器的计算公式-KIA MOS管

    首先考虑当开关打开时,初级绕组将进行充电并且在初级绕组内有电流流动,这样我们就可以根据KVL方程得到如下的关系式:Vin VL Vs = 0;

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    www.kiaic.com/article/detail/3961.html         2022-12-09

  • 反激拓扑中MOS管Vds波形图解-KIA MOS管

    DCM和CCM的判断,并非只是单纯按照初级电流是否连续来进行判断,而是要根据初,次级的电流合成来判断的。只要初,次级电流不是同时为零,那就是CCM模式。二如果存在初,次级电流同时为零的状态,那就是DCM模式。如果是介于两者之间的,就是BCM模式。

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    www.kiaic.com/article/detail/3960.html         2022-12-09

  • 小信号模型分析-微变等效电路法-KIA MOS管

    微变等效电路法:在小信号条件下,把非线性的晶体管用线性模型来代替,用线性电路的分析方法来计算基本放大电路。

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    www.kiaic.com/article/detail/3959.html         2022-12-08

  • 三种小信号模型及跨导详解-KIA MOS管

    举个例子,比如输入的栅源信号是Vgs+VGS,分析小信号时,只看Vgs,这样在电路中其作用产生的Ids为IDS关于VGS(直流信号)求偏导后乘以Vgs,这里的IDS关于VGS求偏导就定义为跨导gm。对于一个mos,常见的跨导有三类:gm、gds、gmb。

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    www.kiaic.com/article/detail/3958.html         2022-12-08

  • 图文分析MOS管小信号模型-KIA MOS管

    在饱和区时MOS管的漏极电流是栅源电压的函数,即为一个压控电流源,电流值为,且由于栅源之间的低频阻抗很高,因此可得到一个理想的MOS管的小信号模型,如图所示。

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    www.kiaic.com/article/detail/3957.html         2022-12-08

  • 晶体管-自举放大器电路分析-KIA MOS管

    放大器是电子产品的组成部分,用于放大低幅度信号。放大器在增强信号方面起着非常重要的作用,特别是在音频和电力电子方面。

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    www.kiaic.com/article/detail/3956.html         2022-12-07

  • 图文详解:MOSFET和BJT之间的区别-KIA MOS管

    场效应晶体管(MOSFET)和双极结型晶体管(BJT)是两种封装形式各异的晶体管,虽然MOSFET和BJT都是晶体管,但它们的工作方式不同,表现出不同的行为,因此它们的使用方式不同。

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    www.kiaic.com/article/detail/3955.html         2022-12-07

  • MOSFET放大器电路、工作原理及过程-KIA MOS管

    MOSFET放大器简单电路图如下图所示,在该电路中,漏极电压 (VD)、漏极电流 (ID)、栅源电压 (VGS) 以及栅极、源极和漏极的位置通过字母“G”、“S”和“ D”。

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    www.kiaic.com/article/detail/3954.html         2022-12-07

  • MOSFET放大器共源极、共栅极、共漏极三种类型-KIA MOS管

    共源放大器可以定义为当 i/p信号在栅极 (G) 和源 (S) 的两端给出时,o/p电压可以通过漏极内负载处的电阻器放大和获得。在此配置中,源端子充当i/p和o/p之间的公共端子。

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    www.kiaic.com/article/detail/3952.html         2022-12-06

  • 判断MOS管共源极放大器、共栅极放大器-KIA MOS管

    因为放大器有输入和输出两个端口,会占用MOSFET其中两个极,剩下那个极接地或电源,作为参考电极。

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    www.kiaic.com/article/detail/3951.html         2022-12-06

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